乔婧思，前沿交叉院，纳米电子学教授。
联系方式：qiaojs@bit.edu.cn
研究方向：
应用密度泛函理论与多体微扰论，与实验紧密结合，进行低维量子物性模拟。 1. 新兴低维材料性能的预测：二维无机、有机信息与光电材料物性预测、低维体系输运性质计算、低维光电转换材料设计等。 2. 先进信息器件的界面设计：构筑并优化同质/异质结表界面、金属-半导体界面，设计并筛选满足未来电子器件需求的高性能界面。 3. 新型耦合机制对物性调控的探索：二维层间、准一维链间、零维分子间新型电子、光学、磁性等耦合机制研究。
